据《青年报》报道，在微电子产业链中，我国长期扮演“打工帝国”的角色——处在制造业链条的最末端，核心专利被国外垄断。日前，复旦大学微电子团队研发出一种名叫“半浮栅晶体管”的电子基础器件。我国微电子领域研发，终于不再“吃别国的剩饭”。
这种名叫“半浮栅晶体管”的电子基础器件，藏身于个人电脑内存之中，它容积小、功率低，具有应用广泛前景。该研究成果刊发在最新一期的《科学》杂志上。据介绍，这是我国科学家首次在该期刊上发表微电子领域的论文。
团队成员、复旦大学王鹏飞教授曾在国外参与65纳米技术研发。他告诉记者：“过去，国外公司在市场上推出新技术芯片后，便把淘汰的工艺技术再以高价卖给中国企业。”
而“半浮栅晶体管”的发明，赶在了国际大企业之前，在微电子领域里头一回“领跑”。作为一种新型的微电子基础器件，将促使我国在掌握集成电路的核心技术，进而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。
拥有核心专利并不等于拥有未来的广阔市场。国外大公司拥有资金和人才优势，可以大规模申请专利，与之相比，复旦大学团队明显“势单力薄”。
复旦大学微电子学院副院长张卫说，集成电路行业是一个完全全球竞争性的行业，技术竞争极其激烈。“不过我们已经申请了10多项核心专利，核心技术在我们手中。”尽管半浮栅晶体管应用市场广阔，但前提是核心专利的优化布局。“我们希望专利布局能做得更快一点，才能避免被国外的大公司赶超。”
[名词解释·“半浮栅晶体管”]
集成电路中最基本的单元是一种叫MOSFET的晶体管,王鹏飞教授介绍说，“我们把一个隧穿场效应晶体管(TFET)和浮栅器件结合起来，构成了一种全新的“半浮栅”结构的器件，称为半浮栅晶体管。“硅基TFET晶体管”使用了硅体内的量子隧穿效应，“隧穿”是量子世界的常见现象，可以“魔术般”地通过固体，好像拥有了穿墙术。“隧穿”势垒越低，相当于“墙”就越薄，器件隧穿所需电压也就越低。而传统的浮栅晶体管的擦写操作则是使电子隧穿过绝缘介质。
因此，半浮栅晶体管的“数据”擦写更加容易、迅速。可见，半浮栅晶体管在某些存储器领域将具有明显的技术领先优势。
（责任编辑：邓一）
